古特雷斯表示，經(jīng)歷兩年的創(chuàng)傷后，國際社會(huì)必須選擇希望。

10月9日至10月31日，國務(wù)院安全生產(chǎn)委員會(huì)辦公室將通過互聯(lián)網(wǎng)、電話、信件等3種途徑，受理群眾反映和職工報(bào)告問題隱患線索。歡迎廣大干部群眾積極提供本地區(qū)安全生產(chǎn)有關(guān)問題隱患線索，客觀真實(shí)反映有關(guān)情況

圖片來源：復(fù)旦大學(xué)公眾號(hào)截圖面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰(zhàn)，具有原子級厚度的二維半導(dǎo)體是目前國際公認(rèn)的破局關(guān)鍵，科學(xué)家們一直在探索如何將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于集成電路中。據(jù)復(fù)旦大學(xué)公眾號(hào)消息，北京時(shí)間10月8日晚，復(fù)旦大學(xué)在《自然》（Nature）上發(fā)文，題目為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（Afull-featured2Dflashchipenabledbysystemintegration），相關(guān)成果率先實(shí)現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片，攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。今年4月，周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)于《自然》（Nature）期刊提出破曉二維閃存原型器件，實(shí)現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲(chǔ)，是迄今最快的半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)，為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。

每日經(jīng)濟(jì)新聞綜合復(fù)旦大學(xué)公眾號(hào)封面圖片來源：每日經(jīng)濟(jì)新聞。因?yàn)樗鼘Σ牧腺|(zhì)量和工藝制造沒有提出更高要求，而且能夠達(dá)到的性能指標(biāo)遠(yuǎn)超現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，可能會(huì)產(chǎn)生一些顛覆性的應(yīng)用場景。

當(dāng)前，國際上對二維半導(dǎo)體的研究仍在起步階段，尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。從目前技術(shù)來看，存儲(chǔ)器是二維電子器件最有可能首個(gè)產(chǎn)業(yè)化的器件類型。在中華人民共和國境內(nèi)向位于境內(nèi)的境外組織或者個(gè)人提供本公告管制的技術(shù)的，按照附件2要求同時(shí)提交《在境內(nèi)提供受出口管制技術(shù)情況說明》。為維護(hù)國家安全和利益，根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國兩用物項(xiàng)出口管制條例》等法律法規(guī)相關(guān)規(guī)定，經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，決定對稀土相關(guān)技術(shù)等物項(xiàng)實(shí)施出口管制，有關(guān)規(guī)定如下：一、以下物項(xiàng)未經(jīng)許可不得出口：（一）稀土開采、冶煉分離、金屬冶煉、磁材制造、稀土二次資源回收利用相關(guān)技術(shù)及其載體。本公告所稱磁材制造技術(shù)，是指釤鈷、釹鐵硼、鈰磁體制造技術(shù)。三、出口經(jīng)營者應(yīng)當(dāng)根據(jù)《中華人民共和國兩用物項(xiàng)出口管制條例》第十六條的規(guī)定，向商務(wù)部申請出口許可。無法判斷擬轉(zhuǎn)移或者提供的物項(xiàng)是否屬于受本公告管制的物項(xiàng)，或者無法判斷有關(guān)情形是否受到本公告管制，可以向商務(wù)部提出咨詢。