退守來源:@CCTV國際時訊編輯:朱嘉琪校對:李瑩瑩審核:張曉雅。

歡迎廣大干部群眾積極提供本地區(qū)安全生產(chǎn)有關問題隱患線索,退守客觀真實反映有關情況圖片來源:退守復旦大學公眾號截圖面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰(zhàn),退守具有原子級厚度的二維半導體是目前國際公認的破局關鍵,科學家們一直在探索如何將二維半導體材料應用于集成電路中。

退守 Fallback

據(jù)復旦大學公眾號消息,退守北京時間10月8日晚,退守復旦大學在《自然》(Nature)上發(fā)文,題目為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》(Afull-featured2Dflashchipenabledbysystemintegration),相關成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片,攻克新型二維信息器件工程化關鍵難題。今年4月,退守周鵬-劉春森團隊于《自然》(Nature)期刊提出破曉二維閃存原型器件,退守實現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲,是迄今最快的半導體電荷存儲技術,為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。退守每日經(jīng)濟新聞綜合復旦大學公眾號封面圖片來源:每日經(jīng)濟新聞。

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因為它對材料質(zhì)量和工藝制造沒有提出更高要求,退守而且能夠達到的性能指標遠超現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)化技術,可能會產(chǎn)生一些顛覆性的應用場景。當前,退守國際上對二維半導體的研究仍在起步階段,尚未實現(xiàn)大規(guī)模應用。

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